ESP静电打IGBT双高功率高频率开关单元 DE10328937
应用于ESP静电打孔，
透气度范围：80 C.U. – 2500 C.U.
纸幅走纸速度达到450m/min,纸幅幅宽达到1200mm

电路条件

对象精制纸，水松纸，卷烟纸，包装纸或者其他基质材料的微型或者纳米级的静电打孔，一个双HV fast switching IGBT′s, MOSFET`s or HVFET′s 高功率/频率的电路就可以达到。电路本身有交替的时钟频率和可变的脉冲宽度， 一个普通的负载电容和连接高压变压器硅铁的自感应线圈就可以提升功率/频率转换，而不需要对频率进行共振操作。

电路的优点

在固定的时间操作窗口，可控的脉冲时钟以常量或者变量的频率，使得高压电火花穿过材质幅，产生孔的大小和范围。整个电路的重复频率能达到一个半导体产生的双开关频率。

在每一个电火花道上的可变电流总和达到150 kHz的总开关频率是可行的。

同时，双半导体开关单元能达到仅有一个单元工作时的双倍功率水平。

应用领域

微型打孔
现在，柔型材料的超微型，微型，纳米级的打孔都能打出极小的孔和产品。这种打孔技术可应用在打孔量比较多的包装，填充，无机织工业，也可应用在科学和技术领域 。多年来，克重在20 ~150 g/sqm精制纸或者其他类型的纸张，静电打孔已经能在大区域打出孔。孔的大小在1 ~ 100 微米之间，孔的分布可达到4 百万个每平方米，或者在一厘米的打孔区域达到200个/每平方厘米。透气度范围在50 ~2,500 C.U，每个孔的透气度达到3~50 C.U

其他应用领域
新的双半导体可应用在建造混合驱动器，半导体高水平平台，或者支持电容，高压磁体变压器的高低转换器。

其他的优势如在频率/功率传输和能量损失比的高效率。
传统的冠状或者中型频率发生器达到30 KHz运行范围很容易改造成双频率和功率的水平。

电路条件 对象精制纸，水松纸，卷烟纸，包装纸或者其他基质材料的微型或者纳米级的静电打孔，一个双HV fast switching IGBT´s, MOSFET`s or HVFET´s 高功率/频率的电路就可以达到。电路本身有交替的时钟频率和可变的脉冲宽度， 一个普通的负载电容和连接高压变压器硅铁的自感应线圈就可以提升功率/频率转换，而不需要对频率进行共振操作。

电路的优点 在固定的时间操作窗口，可控的脉冲时钟以常量或者变量的频率，使得高压电火花穿过材质幅，产生孔的大小和范围。整个电路的重复频率能达到一个半导体产生的双开关频率。

在每一个电火花道上的可变电流总和达到150 kHz的总开关频率是可行的

同时，双半导体开关单元能达到仅有一个单元工作时的双倍功率水平。

应用领域

微型打孔

现在，柔型材料的超微型，微型，纳米级的打孔都能打出极小的孔和产品。这种打孔技术可应用在打孔量比较多的包装，填充，无机织工业，也可应用在科学和技术领域。多年来，克重在20 ~150 g/sqm 精制纸或者其他类型的纸张，静电打孔已经能在大区域打出孔。孔的大小在1 ~ 100 微米之间，孔的分布可达到4 百万个每平方米，或者在一厘米的打孔区域达到200个/每平方厘米。透气度范围在 50 ~ 2,500 C.U，每个孔的透气度达到3 ~ 50 C.U

 其他应用领域 新的双半导体可应用在建造混合驱动器，半导体高水平平台，或者支持电容，高压磁体变压器的高低转换器。

其他的优势如在频率/功率传输和能量损失比的高效率。

传统的冠状或者中型频率发生器达到30 KHz运行范围很容易改造成双频率和功率的水平。

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